Александр Курбатов (редактор отдела «Бывший СССР»)
Parking charge plan: 'Our area could lose its unique identity'
，详情可参考91视频
在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
这也是月之暗面在大厂环伺背景下领悟到的生存法则：做小而美的生意，不在巨头的主战场上硬刚，只要技术飞轮转得足够快，企业的竞争优势就不容易被流量和资源所打破。